型号 | IPD60R2K0C6 |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3 |
IPD60R2K0C6 PDF | ![]() |
代理商 | IPD60R2K0C6 |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
标准包装 | 1 |
系列 | CoolMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2 欧姆 @ 760mA,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3.5V @ 60µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 140pF @ 100V |
功率 - 最大 | 22.3W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | IPD60R2K0C6DKR |