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型号 IPD60R2K0C6
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
IPD60R2K0C6 PDF
代理商 IPD60R2K0C6
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装 1
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 2 欧姆 @ 760mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 60µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 6.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 140pF @ 100V
功率 - 最大 22.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
其它名称 IPD60R2K0C6DKR
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